典型的光耦合器繼電器由以下部分組成：輸入 LED 光耦合到光電二極管陣列 (PDA) 控制電路和用作輸出的兩個功率 MOSFET 器件。 當 LED 工作時，PDA 會將光轉換為電流和電壓來驅動電源輸出上的 MOSFET。

一旦達到一定的觸發(fā)電流，中間控制電路負責安全可靠地導通和關斷輸出 MOSFET。 MOSFET 依次反向串聯，可以同時在直流和交流之間切換。 光耦繼電器的優(yōu)點光耦繼電器完全由半導體材料制成，沒有活動部件，因此特別適合需要擔心封裝尺寸、功耗或運行速度的應用。

在機械繼電器中，閉合時產生的動能觸點會使被操作的觸點彈跳。 這會導致觸點斷開和典型的電弧現象。 波動的接觸電阻和電磁電路可能是噪音。 另一方面，光電繼電器可確保無反彈運行且不受電磁干擾 (EMI)。 此外，機械 EMR 中的部件對開關施加了自然的速度限制：閉合觸點需要 2 到 3 毫秒。

另一方面，光耦繼電器不受這些限制-它們可以在1毫秒以下很好地切換。光耦繼電器中沒有運動部件。繼電器還具有更好的抗沖擊性和抗振動性。對于EMR，限量已經達到30g。雖然光耦繼電器并非完全完好無損，但在中等溫度和額定范圍下工作時，可靠的開關幾乎可以無限期地延長結溫。同樣，不會發(fā)生機械磨損，這進一步延長了光耦繼電器的開關壽命。這種類型的半導體繼電器的物理特性也允許異常高的隔離電壓高達5000Vac，而類似的信號繼電器在2000vac時達到其極限。

比如光耦繼電器與之相比不用擔心最大電弧，開關電壓提高了EMR的十多倍，從200V提高到2000V以上。 由于它們可以在交流和直流之間切換，因此它們特別靈活。 光耦繼電器還具有以下優(yōu)點：能耗和封裝尺寸。 由于 LED 所需的輸入電流較低，因此標準配置的功耗約為 10mW。 功率小于5mW的特別敏感的產品也可用于指定應用。 雖然 EMR 只出現在 DIP 中，但光耦繼電器可以減少到 VSSOP 甚至 TSON 封裝以實現低電流器件——這在板空間有限的情況下是一個很大的優(yōu)勢。

這種具有增加的耗盡區(qū)的pin 型PDA 降低了pn 結的電容。 因此，它可以以比標準 pn 二極管更大的電流產生相同數量的光。 在發(fā)生飽和之前，電流與光的入射呈線性關系。 但是，需要幾個光電二極管才能達到 MOSFET 柵極的閾值電壓。 在一個標準的光耦繼電器中，15 個單節(jié)電池（每個 1mm×1mm）組合成一個單元，8V 和 2 個完全導通。 .5μAMOSFET。 控制電路 光耦繼電器內部控制電路的主要功能繼電器是避免輸出MOSFET處于中間或線性工作狀態(tài)，并盡可能模仿兩個EMR的運行狀態(tài)。

控制電路包括一個并聯的常開晶體管（驅動晶體管），用于輸出 MOSFET 的柵漏電容。 電阻與常開 MOSFET 的柵極晶體管串聯。 使用這種配置，柵極電壓在積累足夠的電流達到飽和之前不會達到閾值，并且只有當 LED 輸入電流達到一定水平（LED 輸入電流）時才會切換 MOSFET。 一個常數向輸出 MOSFET 的柵極施加 7.5V 的電壓以保持它們飽和。 一旦 PDA 不再產生電流，晶體管將返回導通狀態(tài)，迅速降低柵極電壓并在不到一毫秒的時間內關閉 MOSFET。